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成果一
成果名称：
大面积免光刻的宽带光学完美吸收器
成果简介：
设计并制备了三种工作于可见、可见–近红外和中红外三个波段的多层平面结构完美吸收器。数值仿真和实验证实了可见波段(400-800nm)的光学完美吸收器平均吸收达到99.6%。与商用的Acktar公司的产品相比具有对金属基底材料不敏感以及高温稳定等特性。可见–近红外(400-2500nm)和中红外(3-16μm)完美吸收器的平均吸收分别达到92%和75%，高于大部分报道的光学完美吸收器。并且三种类型的吸收器具有对入射光角度和偏振不敏感以及制备误差容忍度高等特性。
技术指标：
1.利用平面多层结构，可以实现大面积免光刻的宽带完美吸收器，工艺简单，成本低;
2.对入射光偏振态和角度不敏感，且制备误差鲁棒性好，良品率高。
成果二
成果名称：
光驱动降解制氢的双功能装置
成果简介：
本成果揭示了一种光驱动降解制氢的双功能装置，所述装置包括：光电转化组件，用于将入射光能转化为电能；电压控制组件，与光电转化组件电性连接，用于将光电转化组件输出的电能控制到预定电压或预定电流并输出；污水反应组件，与电压控制组件电性连接，污水反应组件包括反应槽、位于反应槽内的生活污水、与反应槽固定安装的支架、及第一电极和第二电极，第一电极用于产生活性基团并与有机物进行选择性反应，从而实现污染物的降解，第二电极用于通过还原反应进行制氢。
技术指标：
本成果中光驱动降解制氢的双功能装置绿色环保、副产物安全无害，产氢降解效率高且性能稳定。
成果三
成果名称：
一种用于光解水的双吸收层光阳极及制备方法
成果简介：
本成果属光电转换与新能源领域；为解决现有技术中不同光吸收层的接触界面存在大量缺陷和能带不匹配的问题而导致载流子严重复合的技术问题，提出一种用于光解水的双吸收层光阳极，所述的双吸收层光阳极为复合层式结构，沿着光入射方向依次包括氧化铁外吸收层、硅微米线阵列内吸收层、硅基底、背导电层、背防水绝缘层。
技术指标：
硅微米线阵列内吸收层与氧化铁外吸收层之间设置有钝化层，所述的钝化层各处厚度相等；通过在内外吸收层之间使用原子层沉积技术设置钝化层，可以保证所生长的钝化层保形地沉积在硅微米线表面，且厚度可控制至0.1nm级别，进而确保中间钝化层的均匀性、钝化效果和载流子随穿效应。
成果四
成果名称：
一种光电化学响应的改性方法及光电化学电池
成果简介：
本成果公开了一种光电化学响应的改性方法及光电化学电池，属光电转换与能源领域。该方法的关键步骤包括：热还原法制备金属纳米颗粒；制作以金属纳米颗粒为核心，二氧化硅为壳层的核壳纳米颗粒；将金属-二氧化硅的核壳纳米颗粒修饰于硅微纳结构阵列表面；(4)以核壳纳米颗粒修饰的硅微纳结构阵列为基底使用原子层沉积技术沉积二氧化钛钝化层；退火处理，使得二氧化钛由无定型态转变为锐钛型；将表面修饰和钝化后的硅微纳结构阵列加工为电极，构筑成光电化学电池。
技术指标：
本成果结合金属-二氧化硅核壳纳米颗粒的表面修饰和晶型二氧化钛层的表面钝化，大幅度提高和稳定硅微纳结构阵列电极的光电化学响应。
成果五
成果名称：
基于硅基界面层的长循环固态锂-二氧化碳电池
成果简介：
探索新的能源转换、存储材料与器件是实现新能源转化和利用，发展新能源技术的关键，已成为当前研究的热点和新兴领域，对实现碳中和目标具有重要的科学意义和价值。当前固态锂电池使用高安全性的固态电解质代替原有易燃易爆炸的液态电解质，是当下最火热，最被寄予厚望的超级电池研发技术路径，是未来实现碳中和出行的关键。其中，固态锂-二氧化碳（Li-CO2）电池具有二氧化碳捕获和转换的潜在应用，其理论能量密度（1876Whkg-1）是现有锂离子电池能量密度（~265Whkg-1）的7倍，是目前能量密度最高的电池之一，已成为当前学术界研究的热点方向。然而，锂金属电极和固态电解质之间不良的界面接触，恶性的界面氧化还原反应和锂枝晶的生长使得电池在循环过程中损失了大部分容量和功率。
技术指标：
本文在固态电解质Li1.5Al0.5Ge1.5P3O12（LAGP）上沉积硅基薄膜界面层（如Si、SiO2、Si3N4、SiC等），即在固态电解质与金属锂之间引入硅基界面层，来提高固态电解质和锂金属负极的浸润性，改善固固接触效果，抑制锂金属对固态电解质的还原和锂枝晶在固态电解质中的生长，进而获得循环稳定的固态Li-CO2电池。
成果六
成果名称：
一种提高水解光性能的光阳极制备方法及所得光阳极结构
成果简介：
本成果公开了一种提高光解水性能的光阳极制备方法及所得光阳极结构。光阳极制备方法包括以下步骤：a.采用电阻率为0.01～0.05Ω·cm的n型硅片；b.对硅片清洗后制备硅微米线阵列；c.以硅微米线阵列为基底，采用含有Fe3+的溶液，并在其中混入掺杂源离子溶液，作为生长氧化铁层的前驱液，对前驱液吸附的硅微米线阵列基底在空气中进行前期退火处理，得到硅/氧化铁微米线阵列；d.对硅/氧化铁微米线阵列基底在氮气或氩气氛围中进行后期退火处理；e.在后期退火后所得的硅/氧化铁微米线阵列基底的背面沉积导电层，并引出外置导线；f.在导电层上涂覆反水绝缘层。
成果七
成果名称：
一种内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系及制备方法
成果简介：
本成果属光电转换与新能源领域，为解决现有技术中氧化铁光阳极不能实现完全光解水的技术问题，提出一种内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系及制备方法，包括氧化铁吸收层、p型硅掺杂层、n型硅基底、背导电层、背防水绝缘层；所述的p型硅掺杂层与n型硅基底构成硅pn结；硅pn结的形貌为金字塔阵列结构；p型硅掺杂层与氧化铁吸收层之间设置有透明导电隧穿层。
技术指标：
内嵌硅pn结使得硅层吸收入射光时产生较大的光电压，此光电压将与氧化铁吸收层形成串联关系，相当于外加了此大小的电压于氧化铁层，将有效降低氧化铁光阳极的开启电压，提高了氧化铁吸收层的导电率及其光生载流子的收集效率，从而实现了完全光解水。
成果八
成果名称：
一种硅微米线阵列的制备工艺
成果简介：
本成果公开了一种硅微米线阵列的制备工艺，所述工艺包括以下步骤：(1)在清洗干净的所述硅片表面旋涂抗氢氟酸刻蚀的光刻胶；(2)利用紫外曝光技术对步骤(1)所得硅片进行曝光处理；(3)对步骤(2)所得硅片进行显影处理；(4)以步骤(3)所得硅片为基底，利用物理沉积方法先后沉积Ti和Au薄膜；(5)将步骤(4)所得硅片将浸入丙酮溶液，轻微晃动1-3分钟；不完全去除光刻胶，只是将光刻胶体积减小，保证硅基底表面有部分未被光刻胶或金属完全覆盖；(6)将步骤(5)所得硅片浸入HF与H2O2混合水溶液中，在3-15℃的低温环境中密闭处理6-24小时；(7)将步骤(6)所得硅片进行去光刻胶与去金属处理。
技术指标：
本成果可以得到大间距、大长径比的硅微米线阵列，解决了现有技术中的问题。